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工频高压局放试验装置 抗干扰措施和局部放电图谱简介对于局部放电实验我们怕的就是干扰，下面简单介绍一下实验中可能遇到的干扰以及抗干扰的方法：（一）测量的干扰分类干扰有来自电网的和来自空间的。按表现形式分又分为固定的和移动的。主要的干扰源有以下一些：①悬浮电位物体放电，通过对地杂散电容耦合②外部电晕③可控硅元件在邻近运行④继电器，接触器，辉光管等物品⑤接触不良⑥无线电干扰⑦荧光灯干扰⑧电动机干扰⑨中高频工业设备（二）抗干扰方法采用带调压器，隔离变压器和滤波器的控制电源设置屏蔽室，可只屏蔽试验回路部分可靠的单点接地，将试验回路系统设计成单点接地结构，接地电阻要小，接地点要与一般试验室的地网及电力网中线分开。采用高压滤波器用平衡法或桥式试验电路利用时间窗，使固定相位干扰处于亮窗之外采用较窄频带，或用频带躲开干扰大的频率范围在高压端加装高压屏蔽罩或半导体橡胶帽以防电晕干扰试验电路远离周围物体，尤其是悬浮的金属固体！（三）初做实验者对波形辨认还是有一定困难的，下面就简单介绍一 放电类型和干扰的初步辩认：1． 典型的内部气泡放电的波形特点：(图 5—01)A．放电主要显示在试验电压由零升到峰值的两个椭圆象限内。B．在起始电压Ui时，放电通常发生在峰值附近，试验电压超过Ui时，放电向零相位延伸。C．两个相反半周上放电次数和幅值大致相同（相差至3：1）。D．放电波形可辩。E．q与试验电压关系不大，但放电重复率n随试验电压上升而加大。F．局部放电起始电压Ui和熄灭电压Ue基本相等。G．放电量q与时间关系不大。H．如果放电量随试验电压上升而增大，并且放电波形变得模糊不可分辨，则往往是介质内含有多种大小气泡，或是介质表面放电。如果除了上述情况，而且放电幅值随加压时间而迅速增长（可达100倍或更多），则往往是绝缘液体中的气泡放电，典型例子是油浸纸电容器的放电。

工频高压局放试验装置 由以上局部放电过程分析，同时根据局部放电的特点（同种试品，同样的环境下，电压越高局部放电量越大）可以知道：一般情况下，同一试品在一、三象限的局部放电量大于二、四象限的局部放电量。那是因为它们是电压的上升沿。（第三象限是电压负的上升沿）。这就是我们测量中为什么把时间窗刻意摆在一、三象限的原因。三、局部放电的测量原理：局放仪运用的原理是脉冲电流法原理，即产生一次局部放电时，试品Cx两端产生一个瞬时电压变化Δu，此时若经过电Ck耦合到一检测阻抗Zd上，回路就会产生一脉冲电流I，将脉冲电流经检测阻抗产生的脉冲电压信息，予以检测、放大和显示等处理，就可以测定局部放电的一些基本参量（主要是放电量q）。在这里需要指出的是，试品内部实际的局部放电量是无法测量的，因为试品内部的局部放电脉冲的传输路径和方向是极其复杂的，因此我们只有通过对比法来检测试品的视在放电电荷，即在测试之前先在试品两端注入一定的电量，调节放大倍数来建立标尺，然后将在实际电压下收到的试品内部的局部放电脉冲和标尺进行对比，以此来得到试品的视在放电电荷。

工频高压局放试验装置 接触不良的干扰图形。波形特点：对称地分布在实验电压零点两侧，幅值大致不变，但在实验电压峰值附近下降为零。波形粗糙不清晰，低电压下即出现。电压升高时，幅值缓慢增加，有时在电压达到一定值后会完全消失。原因：实验回路中金属与金属不良接触的连接点；塑料电缆屏蔽层半导体粒子的不良接触；电容器铝箔的插等（可将电容器充电然后短路来）可控硅元件的干扰图形。（图5—08）波形特点：位置固定，每只元件产生一个独立讯号。电路接通，电磁耦合效应增强时讯号幅值增加，试验调压时，该脉冲讯号会发生高频波形展宽，从而占位增加。原因：邻近有可控硅元件在运行。（6）继电器、接触器、辉光管等动作的干扰。（图 5—09）波形特点：分布不规则或间断出现，同试验电压无关。原因：热继电器、接触器和各种火花试验器及有火花放电的记录器动作时产生。（7）荧光灯的干扰图形。（图5—10）波形特点：栏栅状，幅值大致相同的脉冲，伴有正负半波对称出现的两簇脉冲组。原因：荧光灯照明 无线电干扰的干扰图形。（图5—11）波形特点：幅值有调制的高频正弦波，同试验电压无关。原因：无线电话、广播话筒、载波通讯等。（9）电动机干扰的干扰图形（图5—12） 图5—12）波形特点：放电波形沿椭圆基线均匀分布，每个单个讯号呈“山”字形。原因：带换向器的电动机，如电扇、电吹风运转时的干扰。